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PBSS2540E中文资料

PBSS2540E图片

PBSS2540E外观图

  • 大小：163.98KB
  • 厂家：nxp
  • 描述：40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：0.9mm
  • 封装类型：SMPAK
  • 尺寸：0.85 x 1.8 x 0.9mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：250 mW
  • 最大发射极-基极电压：6 V
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.2 V
  • 最大直流集电极电流：0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压：40 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.25 V
  • 最大集电极-基极电压：40 V
  • 最小直流电流增益：50 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：450 MHz
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极小信号
  • 配置：单
  • 长度：1.8mm
  • 高度：0.85mm

PBSS2540E供应商

更新时间:2023-01-05 22:38:27
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